【饰面泄爆墙案例】浙江陶特半导体材料有限公司年产5000吨高纯ALD 、CVD前驱体材料生产项目 |
发布日期:2024-02-29 人气:1266 |
【饰面泄爆墙案例】浙江陶特半导体材料有限公司年产5000吨高纯ALD 、CVD前驱体材料生产项目 浙江陶特半导体材料有限公司年产5000吨高纯ALD 、CVD前驱体材料生产项目总投资约6.19亿元,用地面积76.64亩。新建建筑面积40500平方米,引进离子色谱仪、氦检漏仪等进口设备,购置产品纯化生产线、产品合成生产线等国产设备,形成年产5000吨高纯ALD、CVD前驱体材料的生产能力,项目建成后,预计可实现年产值133761万元。 项目详情 项目名称:浙江陶特半导体材料有限公司年产5000吨高纯ALD 、CVD前驱体材料生产项目 项目类型:化工厂房 使用厚度:9mm 应用部位:泄爆墙体 |